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| 漏源电压(Vdss) | -20V |
| 封装/外壳 | SOIC8_150MIL |
| 连续漏极电流Id@25℃ | -6.7A |
| 工作温度(Tj) | -55~+150℃ |
| 安装类型 | SMT |
| 输入电容(Ciss)(Max) | 1500pF@15V |
| FET类型 | P沟道 |
| 零件状态 | Active |
| 是否无铅 | Yes |
| 漏源极电压（Vdss） | 20V |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 40毫欧@3.2A，4.5V |
| 阈值电压Vgs(th) | -0.7V |
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