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| {FET类型 | N+P沟道} |
| {不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 24毫欧@6A，10V} |
| {阈值电压Vgs(th) | 2.4V@250µA} |
| {安装类型 | SMT} |
| {输入电容(Ciss)(Max) | 1060pF@20V} |
| {是否无铅 | Yes} |
| {元件生命周期 | Active} |
| {封装/外壳 | SOIC8_150MIL} |
| {工作温度(Tj) | -55~+150℃(TJ)} |
| {漏源极电压（Vdss） | 40V} |
| {连续漏极电流Id@25℃ | 7,5.1A} |
| {系列 | -} |
| {零件状态 | Active} |
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